半導體業廢水處理流程簡介1. 半導體業廢水處理流程簡介 組員 : 942714 蕭皓云 942726 黃郁雯 942727 李名妙 942734 吳士嫻 942751 莊語紜 942755 陳怡君 科任教授:鄧宗禹 3. 半導體介於導體與非導體之間物質 (如矽)。矽( Si )是常用的半導體材料,在矽中摻入微量的5價元素 ( 砷 ) ,則大量增加電洞數目,形成n型(負性);或3價元素 ( 硼 ) 則大量增加電洞數目,就能改變矽的導電特性,形成p型(正性)半導體。 不同導電性之半導體若集合一起,可形成各種接面; 即可供作電子組件使用。 何謂半導體 ? 4. 半導體產業範圍 依原料、生產 / 加工至產品產出,半導體產業大致區分為半導體材料 ( 含化學品 ) 、光罩、設計 ( 含 CAD 軟體 ) 、製程、封裝、測試及設備等七個技術領域, 5. 晶元製造流程 測試封裝 Wafer start 薄膜 CMP 黃光 蝕刻 乾 (Aspen) 、濕 (SH) 離子植入 爐管 退火 光阻罩幕 硬罩幕 ( 氮或氧化物 ) 6. 廠區廢水來源 廠務供應 H 2 O 2 NH 4 OH IPA 研磨液 UPW Chemical CMP 機台 CMP A CMP B D Acid D Base 製程廢水 Drain 7. HF POLY ETCH 3 HCL IPA H 3 PO 4 NH 4 OH EG HNO 3 H 2 SO 4 H 2 O 2 WET 機台 WIDA C Base DHF H 3 PO 4 C Acid DNH 3 D Base D Acid CH 2 SO4 CHF 廠務廢水 製程廢水 純水 化學藥劑 10. 濃酸 儲存槽 放流 水槽 有機廢水儲存槽 最終 中和槽 第二 中和槽 第一 中和槽 稀酸 儲存槽 稀鹼 儲存槽 濃鹼 儲存槽 薄膜反應生物槽 氟酸反應槽 濃氟酸儲存槽 稀氟酸儲存槽 CMP 儲存槽 氟酸 pH 調整槽 氟酸沉澱槽 氟酸混凝槽 氟酸最終槽 氟酸膠凝槽 CMP 膠凝槽 CMP 混凝槽 CMP 反應槽 汙泥脫水槽 CMP 最終槽 CMP 沉澱槽 汙泥濃縮槽 放流 汙泥 12. 平坦化 : CMP 是利用化學藥劑所提供之化學反應,目的是為將晶圓拋光,因為薄膜沉積時可能不均勻,即晶片上面凸出的介電層漸漸地加以除去的一種平坦化技術。 CMP 功能 14. 濃酸 儲存槽 放流 水槽 有機廢水儲存槽 最終 中和槽 第二 中和槽 第一 中和槽 稀酸 儲存槽 稀鹼 儲存槽 濃鹼 儲存槽 薄膜反應生物槽 氟酸反應槽 濃氟酸儲存槽 稀氟酸儲存槽 CMP 儲存槽 氟酸 pH 調整槽 氟酸沉澱槽 氟酸混凝槽 氟酸最終槽 氟酸膠凝槽 CMP 膠凝槽 CMP 混凝槽 CMP 反應槽 汙泥脫水槽 CMP 最終槽 CMP 沉澱槽 汙泥濃縮槽 放流 汙泥 15. 濃酸 儲存槽 放流 水槽 有機廢水儲存槽 最終 中和槽 第二 中和槽 第一 中和槽 稀酸 儲存槽 稀鹼 儲存槽 濃鹼 儲存槽 薄膜反應生物槽 氟酸反應槽 濃氟酸儲存槽 稀氟酸儲存槽 CMP 儲存槽 氟酸 pH 調整槽 氟酸沉澱槽 氟酸混凝槽 氟酸最終槽 氟酸膠凝槽 CMP 膠凝槽 CMP 混凝槽 CMP 反應槽 汙泥脫水槽 CMP 最終槽 CMP 沉澱槽 汙泥濃縮槽 放流 汙泥 18. 濃酸 儲存槽 放流 水槽 有機廢水儲存槽 最終 中和槽 第二 中和槽 第一 中和槽 稀酸 儲存槽 稀鹼 儲存槽 濃鹼 儲存槽 薄膜反應生物槽 氟酸反應槽 濃氟酸儲存槽 稀氟酸儲存槽 CMP 儲存槽 氟酸 pH 調整槽 氟酸沉澱槽 氟酸混凝槽 氟酸最終槽 氟酸膠凝槽 CMP 膠凝槽 CMP 混凝槽 CMP 反應槽 汙泥脫水槽 CMP 最終槽 CMP 沉澱槽 汙泥濃縮槽 放流 汙泥 22. 濃酸 儲存槽 放流 水槽 有機廢水儲存槽 最終 中和槽 第二 中和槽 第一 中和槽 稀酸 儲存槽 稀鹼 儲存槽 濃鹼 儲存槽 薄膜反應生物槽 氟酸反應槽 濃氟酸儲存槽 稀氟酸儲存槽 CMP 儲存槽 氟酸 pH 調整槽 氟酸沉澱槽 氟酸混凝槽 氟酸最終槽 氟酸膠凝槽 CMP 膠凝槽 CMP 混凝槽 CMP 反應槽 汙泥脫水槽 CMP 最終槽 CMP 沉澱槽 汙泥濃縮槽 放流 汙泥 23. MBR 進流 薄膜模組 放流 為一結合生物處理單元與薄膜分離單元的處理技術,不僅發揮生物處理溶解性有機物形成膠羽,亦結合薄膜分離系統有效固液分離的特點,符合嚴格的放流水標準。 主要是回收供沖廁用水、景觀、澆灌、灑水、地板清洗之用水。