More Related Content Similar to 半導體及光電廢水處理技術概論 Similar to 半導體及光電廢水處理技術概論 (10) 3. 半導體及光電業廢水來源及分類 製程 系統廢水 純水系統 處理單元 再生廢水 回收系統 處理單元廢水 Central Scrubber 廢水 TFT-LCD 製造業 酸鹼廢水 氟系廢水 有機廢水 半導體製造業 酸鹼廢水 氟系廢水 研磨廢水 LED 製造業 酸鹼廢水 氟系廢水 砷系廢水 研磨廢水 6. 氟系廢水水質特性 3 <5 PO 4 3 - (mg/L) 1600 1000 ~ 2200 SO 4 2 - (mg/L) 175 50 ~ 300 SS (mg/L) 1750 500 ~ 3000 F - (mg/L) 2.5 1.0 ~ 3.0 pH 平均值 濃度範圍 分析項目 7. 研磨廢水水質特性 Characteristics ILD layer Metal layer Abrasive Fumed Silica Colloidal Silica , , -Alumina pH 9.5 ~ 10.5 2.92 ~ 3.95 Conductivity ( s/cm) 104 ~ 138 66.2 ~115 Mean size (nm) 170 190 Zeta potential (mV) - 47.6 - 1.7 Turbidity (NTU) 100 ~ 140 59 ~ 77 SS (mg/L) ND ND External additive Surfactant, Dispersant Oxidizer 8. Sample Item ILD layer Metal layer Range Average Range Average pH 6.1-8.8 8.1 2.7-3.5 3.0 E.C. (μS/cm) 79.4-157.1 118.8 1179-3700 1640 Turbidity (NTU) 155.7-544.0 273 32.2-58.5 40.1 TOC (mg/L) 23.2-63.31 41.0 4.5-9.1 6.7 Total SiO 2 (mg/L) 473.6-728.5 571.5 0.4-25.7 19.4 SiO 2 <0.1μm 16.5-191.5 94.1 0.6-9.2 2.5 NH 3 -N (mg/L) 6.4-25.7 14.0 0-3.4 1.5 PO 4 -3 (mg/L) 1.6-30.0 19.2 0.1-18.5 11.7 Total Solid (mg/L) 560-900 710.0 180-340 263.3 Iron (mg/L) 0-9.2 2.0 80.3-108.0 93.8 半導體廠 CMP 廢水水質特性 11. 半導體業常見清洗 / 蝕刻劑之化學物及去除對象 ( 國科會奈米元件實驗室 ， 2002) Organic 、 Metal oxide H 2 SO 4 /H 2 O 2 SPM SiO 2 、 Metal ion HF /DI Water DHF Metal ion 、 Metal hydroxide HCl/H 2 O 2 /H 2 O HPM Metal 、 Organic NH 4 OH / H 2 O 2 /H 2 O APM Si 3 N 4 H 3 PO 4 H 3 PO 4 SiO 2 HF / NH 4 F BOE SiO 2 HF /H 2 O 2 /H 2 O FPM 去除對象 化學物種類 清洗 / 蝕刻劑名稱 12. 園區含氟廢水處理方式統計 6 （ 22.2 ％） CaCl 2 + Polymer 1 （ 3.7 ％） CaCl 2 + Na 2 Al 2 O 4 + Polymer 1 （ 3.7 ％） CaCl 2 + FeCl 3 + Polymer 1 （ 3.7 ％） CaCl 2 + FeSO 4 + Polymer 1 （ 3.7 ％） Ca(OH) 2 /CaCl 2 +PACl+ Polymer 1 （ 3.7 ％） Ca(OH) 2 + PACl + Polymer 14 （ 51.9 ％） CaCl 2 + PACl + Polymer 混 沉 處 理 3 （ 7.4 ％） 流體化床結晶法 廠商數目（所佔百分比） 氟系廢水處理方式 廠 家 總 數： 27 家（僅計有含氟廢水且有處理者） 13. 90–91 年統計 園區 半導體廠研磨廢水處理方式統計 2 (7 %) 單獨薄膜處理 8 (27 %) 單獨化混處理 6 (20 %) 匯入反應槽後 3 (10 %) 匯入前端 匯入氟系廢水 處理系統 6 (20 %) 匯入酸鹼廢水中和處理 1 (3 %) 直接排放 處理方式 26 (87 %) 有研磨廢水 4 (13 %) 無研磨廢水 廠家數目（百分比） 研磨廢水處理方式 廠家總數 : 30 14. 酸鹼廢水處理單元特性 酸鹼 廢水 調勻槽 第一中和槽 pH 5 ~ 10 第二中和槽 pH 6 ~ 9 第三中和槽 pH 6 ~ 9 放流槽 氟系廢水上澄液 氟系廢水上澄液 16. 氟系廢水處理單元特性 氟系 廢水 調勻槽 第一反應槽 pH 5 ~ 6 第二反應槽 pH 7 ~ 9 快混槽 pH ~ 9 放流槽 研磨廢水 膠凝槽 Polymer 沉澱槽 NaOH PACl Fe Salt CaCl 2 Ca(OH) 2 25. ○○ : 易分解 , ○ : 可分解 , x: 難分解 , ? : 不明 有機溶劑生物分解性 26. TFT-LCD 製程簡介 有機廢水 TFT ARRAY PANEL MODULE 有機廢水 無機廢水 玻璃基板 清洗 成膜 曝光 顯影 蝕刻 剝離 清洗 固膜 框膠塗佈 組立 切割 液晶注入 偏光片貼附 ACF 貼附 SMT 焊接 背光框架 液晶模組 模組檢查 QA 檢查 包裝 28. 生物分解原理介紹 Biomass CO 2 Carbohydrates GLYCOLYSI S (cytosol) KREBS CYCLE (mitochondria) OXIDATIVE PHOSPHORYLATION (mitochondria) ENERGY ATP O 2 Pyruvate Lactate Methane Fermentation CO 2 CH 4 H 2 O Pyruvate NADH P, N Biomass 31. 厭氣生物分解性試驗 BMP 試驗裝置 厭氣污泥 廢水水樣 分別配製成不同 COD 濃度，進行分解性試驗 35 ℃ 恆溫水浴振盪器、凹槽三角瓶及集氣鳥型醱酵管 定時記錄產氣量，並以去除 1g COD 產生 395ml 的甲烷氣，換算 COD 去除率 33. 生物處理技術 生物處理 喜氣生物處理 厭氣生物處理 AST 活性污泥法 SBR 批式活性污泥法 MBR 膜離活性污泥法 BioNET 生物網膜法 AFB 厭氣流體化床 UASB 上流式厭氣污泥床 UAF 上流式厭氣濾床 Org+O 2 ==== > H 2 O+CO 2 Org==== > CH 4 +CO 2 Org+SO 4 = ==== > CH 4 +CO 2 bacteria bacteria bacteria 37. 厭氣 (UASB) + MBR 厭氣 MBR 系統 (MCMFB, Membrane coupled methanogenic and facultative bioreactor) 高濃度有機廢水處理技術之演進 蒸發濃縮 傳統喜氣 MBR UASB+ 喜氣 喜氣 UASB MBR 日韓引進之技術 ITRI 研發新 技術 加拿大 Zenon/ 綠太 38. MCMFB 應用實績 5,000 5,000 3,300 9,000 COD (mg/L) 200 250 設計中 力特平鎮 可提升處理效率且降低操作成本 ( 新廠 ) 200 偏光板製程廢水 ( 水膠水 , 染色水 ) 250 試車中 力特南科 5,000 MEA, DMSO, TMAH 3,500 施工中 華映龍潭 符合環評要求及經濟效益 ( 新世代廠 ) 3,387 MEA, DMSO, TMAH 5,200 試車中 廣輝龍潭 備註 廢水量 (CMD) 廢水種類 槽體體積（ m 3 ） 進度 公司 / 廠 39. UASB 應用實績 1,000 1,000 6,600 8,000 COD (mg/L) 650 MEA, DMSO, TMAH 400 設計中 奇美 1 廠 南科管理局要求改善 ( 舊廠 ) 1,650 MEA, DMSO, TMAH 900 試車中 奇美 2 廠 6,000 MEA, BDG, TMAH 6,654 設計中 統寶 3 廠 竹科管理局要求改善 ( 舊廠 ) 1,400 MEA, BDG, TMAH 1,760 試車中 統寶 1 廠 備註 廢水量 (CMD) 廢水種類 槽體體積（ m 3 ） 進度 公司 / 廠 Editor's Notes BioNET ® 處理技術 刁 力‧ 8 9 BioNET ® 處理技術 BioNET ® 處理技術 BioNET ® 處理技術
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