2. MỘT SỐ THÔNG TIN CẦN THIẾT
• Tài liệu quang phi tuyến:
http://mientayvn.com/Cao%20hoc%20quang%20dien%20tu/Semina%20tren%
• https://drive.google.com/folderview?id=0B2JJJMzJbJcwajNXZWpzdGRTb1M
3.
4. I. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Xét hiện tượng quang phi tuyến bậc ba, khi vectơ
phân cực của môi trường có dạng:
Nếu sóng ánh sáng tới có dạng
Thì
2 3
...P E E Eα β γ= + + +
( )cosoE E t kzω= −
( ) ( )
( ) ( )
2
3
1
cos 1 cos2
2
3 1
cos cos3
4 3
o o
o
P E t kz E t kz
E t kz t kz
α ω β ω
γ ω ω
= − + + −
+ − + −
5. I. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Nếu chỉ quan tâm đến các số hạng có cùng tần
số ω với sóng tới thì sự đóng góp vào chiết suất
môi trường đối với sóng đó:
Ta có :
và
Mặt khác:
EEkztEEP
+=−
+= 3
0
3
001
4
3
)cos(
4
3
γαωγα
χε += 1r EP χε01 =
( ) )1(1 100000 PEEEEED r +=+=+== εχεεχεεε
6. I. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Từ (1) ta suy ra:
thế P1 vào (1) ta được:
Ta có: vì:
Nên:
)2(1
0
1
E
P
r
ε
ε +=
0
2
0
0
2
4
3
1
ε
γ
ε
α
ε
E
ntr ++==
2
0
0
11 n=+=+ χ
ε
α
00χεα =
+=+= 2
0
2
02
0
2
022
4
3
1
4
3
n
E
n
E
nnt
ε
γ
ε
γ
7. I. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Do γ rất nhỏ nên:
Đặt :
Ta được:
2/1
2
0
2
0
4
3
1
+=
n
E
nnt
ε
γ
+=
n
E
nnt
0
2
0
8
3
1
ε
γ
n
n
0
2
8
3
ε
γ
=
2
02Ennnt +=
8. I. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
•Nếu n2 > 0 thì chiết suất của môi trường lớn
nhất ở vị trí có cường độ sóng cao nhất
Chùm tia Gauss trong môi trường với chiết suất
,ở đó n2 > 0
( )
2
oE r
r
O O
r
nt(r)
2
02 Ennnt +=
9. 2.Sự tự tụ tiêu
Khảo sát phương trình sóng đối với điện trường, khi
chiết suất được biểu diễn:
Xét chùm tia lan truyền dọc trục z và phân cực dọc
trục x
Giả thiết: biến đổi chậm theo trục z
( )
2 2 2
2 2 2 2
22 2 2 2
1
2 0t
o
n E E
E E n nn E
c t c t
∂ ∂
∇ − = ∇ − + =
∂ ∂
ur ur
ur ur
( )
{ }1
2
i t kz
o xE E e kc e
ω− −
= +
ur uur
( )oE r
r
2
2
0oE
z
∂
≈ ÷
∂
10. 2.Sự tự tụ tiêu
Khảo sát phương trình sóng đối với điện
trường, khi chiết suất được biểu diễn
Xét chùm tia lan truyền dọc trục z và phân cực
dọc trục x
( )
2 2 2
2 2 2 2
22 2 2 2
1
2 0t
o
n E E
E E n nn E
c t c t
∂ ∂
∇ − = ∇ − + =
∂ ∂
ur ur
ur ur
( )
{ }1
2
i t kz
o xE E e kc eω− −
= +
ur uur
)8(
11. 2.Sự tự tụ tiêu
Giả thiết: biến đổi chậm theo trục z
Suy ra
( )oE r
r
2
2
0oE
z
∂
≈ ÷
∂
( ) 02
1
2
2
2
02
2
22
2
2
2
2
2
=
∂
∂
+−
∂
∂
+
∂
∂
+
∂
∂
t
E
Ennn
cz
E
y
E
x
E
)9(
14. 2.Sự tự tụ tiêu
Ta nhận được (8) dưới dạng:
Trong đó:
và:
2
22 2
2 0o
o o o
E k n
E ik E E
z n
⊥
∂
∇ + + =
∂
c
n
k
ω
=
2
2
2
2
2
yx ∂
∂
+
∂
∂
=∇⊥
)10(
)11(
15. 2.Sự tự tụ tiêu
Nếu n2 = 0 phương trình sóng tuyến tính trong
chất điện môi
là hệ quả của sự nhiễu xạ.
Nếu => (11) biểu diễn sự lan truyền
của sóng phẳng.
Với ao là bán kính của chùm
Sự tự tụ tiêu sẽ khử nhiễu xạ nếu
2
oE⊥∇
2
0oE⊥∇ =
2 2
o o oE a E−
⊥∇ ≈
2
2 22
o o o
k n
E E a E
n
−
:
22
2
2
o o
n
a E
k n
:
16. 2.Sự tự tụ tiêu
•Giả thiết
Hay:
=>Sự tự tụ tiêu sẽ khử sự nhiễu xạ
Ta có:
0
2
0
2
0
2
2
EaEE
n
nk −
≈
nk
n
Ea 2
2
0
2
0 ≈
2
0
0
2
E
nc
I
ε
=
17. Suy ra công suất ngưỡng của sự tự tiêu
=>> Công suất ngưỡng của sự tự tụ tiêu không
lớn lắm
2.Sự tự tụ tiêu
( ) ( ) 22 2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
.
2 2
8
o
C o o o
C
o
o
o
nc
P a I a E
nc n cn
k n
k
P
n
k
c
n
ελ
π
επ
λ
π ε
π
π
ε π
=
⇒
=
=
=
= =
18. • Nhận xét:
Kết quả phù hợp khá tốt với kết quả tính
toán bằng phương pháp số của phương
trình vi phân.
Công suất ngưỡng của sự tự tụ tiêu không
lớn lắm.
2.Sự tự tụ tiêu
19. 2.Sự tự tụ tiêu
Giả sử ta có:
Với S,A: hàm số thực theo
S( ) hàm eikonal
Từ (12) và (10) ta có:
)(
0 )()( rikS
erArE
= )12(
r
( )
( )
( )
2
2
2 2
2 2
2
0
2
A
A S
z
A n AS
S
z k A n
⊥ ⊥
⊥
⊥
∂
+∇ ∇ =
∂
∇∂
+ ∇ = +
∂
)13(
)14(
20. 2.Sự tự tụ tiêu
Với chùm Gauss, A có dạng :
Với chùm đối xứng trục :
Đưa (15) vào (14) ta được:
( )
( ) ( )
2
.exp
2
A w ro oA r
w z w z
÷= −
÷
e
r
⊥
∂
∇ =
∂
uuu 2
2
2
1
r r r
⊥
∂ ∂
∇ = +
∂ ∂
)15(
( )
2 2 2
2
2
2 2
1 4 2 2
1
2
1
,
0
S r S r
r dw
S r z
w dz
dw
r r w r dzω ω
∂ ∂
+ − + − = ÷ ÷
∂ ∂
=
)16(
)17(
21. 2.Sự tự tụ tiêu
•Đưa (17), (15) vào phương trình (14)
Thay (19) vào (18)
22 2 2 2
2 2
2 2 2 2
2 2 2
1 expon Ad w r r
r
dz k w w nw w
= − + − ÷ ÷
2
2
22
2
2
1
r
w
r
e
w
−
≈ −
2 2 22 2 2 2
2 2 2 2
2 2 2 2 2 3 2
22 2 2 4 2
1 1o o on A n A n Ad w r r r
r
dz k w w nw w k n w k w nw
= − + − = − − + ÷ ÷ ÷
)18(
)19(
22. 2.Sự tự tụ tiêu
Giả thiết rằng không phụ thuộc vào r. Đồng
nhất hai vế :
Với
: công suất của chùm
: công suất ngưỡng củasự tự tụ tiêu
: vị trí mặt sóng có độ cong cực đại
ω
2 22
2
2 2 2
21 4 o on A wd w
dz w k n
= − ÷
)20(
23. 2.Sự tự tụ tiêu
Xảy ra sự tự bẫy
( khi đó nhiễu xạ và tự tiêu đã bù trừ lẫn nhau )
2
1
2
0
0 11)(
−−=
z
z
P
P
wzw
c
( )
( )
1
2 2
1*
*
C o
o
C o
z
P P w z w
z
P P w z w
<< ⇒ = + ÷
= ⇒ =
25. 2.Sự tự tụ tiêu
•Trên khoảng cách
Thì chùm hội tụ:
=> Cường độ
2
1
0 1
−=
c
s
P
P
zz
0)( =zw
∞
26. 2.Sự tự tụ tiêu
2a
2a
a)
b)
a) Sự truyền ánh sáng trong môi trường phi tuyến
b) Sơ đồ tương đương
27. 2.Sự tự tụ tiêu
(a) Typical data for a 3 mm cell length where no self-focusing occurs. Due to
overexposure,the actual intensity ratios are not faithfully reproduced.
(b) Simultaneous 1.5 cm spacerFabry-Perot interferometer analysis of all three
beams from the 3 mm cell.
28. 2.Sự tự tụ tiêu
(a)2D output beam profile; from left to right: no applied field, 300 V/cm, 700
V/cm
and 1000 V/cm; the arrow indicates the direction of the applied electric field;
(b) Output beam profile along the central horizontal line for different applied
electric fields. The input power is 200 mW, corresponding to a 20 W/cm2 peak
intensity. The beam waist is 25 mm.
a)
b)
29. 2.Sự tự tụ tiêu
(a) Image of a laser beam emerging from a 50-cm cell of CS2 and exhibiting large- and
small-scale trapping. Magnication is 30x. The bright central portion is the large-scale
trapped beam; the many small bright laments demonstrate the small-scale trapping. The
broad disk and ring of light are the untrapped beam diffracting from the initial pinhole.
(b) Raman Stokes radiation under conditions similar to (a). Magnication 50x. From
[12].
30. 2.Sự tự tụ tiêu
Plots of the peak intensity and the beam width inside the hollow
waveguide as a function of propagation distance for PPcr lb
0.5.