1. Elio Ronald RUELAS ACERO
UPTELESUP – ODE - PUNO
Elio Ronald RUELAS ACERO ODE -
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2. 1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en forma
integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
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3. np p
Contactos óhmicos
Drenaje (D)
Fuente (S)
Canal-n
Compuerta (G)
Región de
agotamiento
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
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6. Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene características de
fuente de corriente con ID = IDSS.
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7. El nivel de VGS que da como
resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS =
VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.
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9. ( )2
/1 PGS
o
d
VV
r
r
−
=
La pendiente de las curvas en la región óhmica es función del
voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.
Donde ro es la resistencia con VGS = 0.
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10. Los voltajes de las fuentes
se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.
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11. La corriente en la región de ruptura está limitada solo por el
circuito externo.
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14. 2
1
−=
P
GS
DSSD
V
V
II
La relación entre ID y VGS está definida por la ecuación de
Shockley.
Las características de transferencia definidas por esta ecuación no
se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
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15. La gráfica muestra que existe una relación parabólica entre ID
y VGS.
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16. VVDSSD GS
II 0| ==
2
1
−=
P
GS
DSSD
V
V
II
Para las curvas anteriores podemos obtener:
Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = −1 V
mAmAII DSSD 5.4
4
1
18
4
1
1
22
=
−=
−
−
−=
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17. La relación inversa de la ecuación de Shockley se obtiene con
facilidad
−=
Dss
D
PGS
I
I
VV 1
Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = −4 V, se obtiene
VVGS 1
8
5.4
14 −=
−−=
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18. Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Más los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.
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23. ID = IDSS(1 – VGS/VP)2
IC = βIB
ID = IS IE = IC
IG = 0 VBE = 0.7V
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24. No existe conexión
eléctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.
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