2. SEMICONDUCTORES INTRINCICOS
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una
estructura tetraédrica similar a la del carbono
mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la
figura representados en el plano por simplicidad.
Cuando el cristal se encuentra a temperatura
ambiente algunos electrones pueden absorber la
energía necesaria para saltar a la banda de
conducción dejando el correspondiente hueco en la
banda de valencia (1). Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV
para el silicio y el germanio respectivamente.
5. Dopaje (semiconductores)
En la producción de semiconductores, se denomina
dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (también referido
como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades
eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. A los semiconductores con
dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que
actúa más como un conductor que como un
semiconductor, es llamado degenerado.
