los transistores

1. Ministerio de Educación
Instituto profesional y técnico de David.
Electrónica Aplicada
Nombre De Trabajo: El transistor
Nombre Del Estudiante: Milciades Patiño
Grupo: XII°E
Electricidad
Profesor Cesar Augusto Serracín Cano
Fecha: Domingo 7 de julio Del 2013

2. Los transistores:
1. ¿Qué es un transistor?
R/= El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción
en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»).
2. ¿De qué está compuesto un transistor?
R/=El transistor está Compuesto por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo
P y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de
estas capas, podemos tener dos tipos de transistores:
Transistor PNP.
Transistor NPN.
Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de
este tipo de dispositivos.
3. ¿Cuáles son las terminales de un transistor?
R/= Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal
metálico que permitirá conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un
encapsulado protector, que puede adoptar diversas formas y
estar fabricado de materiales diversos (plástico, metal...). Por
tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que
reciben los nombres de emisor, base y
colector.
En el dibujo "Esquema de dos transistores..." la flecha indica la
dirección de la corriente que circula a través del emisor: en un transistor
NPN es saliente, mientras que en un transistor PNP va en sentido
contrario, es decir, hacia dentro del dispositivo y, por consiguiente, la
flecha se dibuja al revés.

3. 4. ¿menciona 4 tipos de transistor?
R/= Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Transistor de unión bipolar
Transistor de efecto de campo
Fototransistor
5. ¿Cómo funciona un transistor?
R/= un transistor funciona así: esta compuesto como te dije de silicio la idea es que actué
como una compuerta natural (abrir-cerrar, cerrar-abrir) esta encapsulado en una plaquita
muy diminuta que está compuesta de tres cristales dependiendo el tipo uno P, uno N, y otro P.
o en el otro caso uno N, otro P, y el otro N resumiendo serian dos tipos transistor PNP y
transistor NPN. estos acrónimos que traducen material positivo o negativo según su letra se
deben puramente a su construcción ósea según la necesidad de quien este diseñando el
circuito electrónico así será el tipo de transistor a utilizar PNP o NPN haciendo la analogía
entre la compuerta y el transistor tendremos que en un transistor PNP por ejemplo tiene tres
estados cuando se inyecta un voltaje por la base del transistor este rompe la barrera que hay
en el colector para que circule la corriente hacia el emisor ósea recreando el caso anterior
cuando aplicamos una fuerza (voltaje) a la base (puerta), esta rompe la barrera (cerradura)
para que circule la corriente (personas) a través de colector a emisor algo así como (salir de
una puerta de adentro hacia afuera) en el caso del otro tipo de transistor el ejemplo sería
igual solo que la corriente o las personas en este caso circularían de (afuera hacia adentro).
6. ¿Menciona las zonas de trabajo de un transistor?
R/=Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o del signo
de los voltajes de polarización en cada una de las
uniones del transistor, éste se puede encontrar en
alguna de las cuatro zonas de trabajo que se pueden
observar en el gráfico de la derecha. Estas regiones
son; Región activa directa, Región de saturación,
Región de corte y Región activa inversa.
7. ¿Aplicaciones más comunes de un transistor?
R/= las aplicaciones más comunes donde se usan son en los aparatos electrónicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,
lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.en cuanto a sus características,
su principio de funcionamiento, sus modos de conexión más comunes y las aplicaciones de los

4. más usados en electrónica como el caso de los transistores bipolares, Transistor de efecto
campo (FET), el fototransistor etc.
8. ¿Qué es un transistor BJT?
R/=El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
9. ¿menciona 2 tipos de transistores BJT?
R/= 2 Tipos de Transistor de Unión Bipolar
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que
la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las
cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados
hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias.
10. ¿Qué es un JFET?
R/=El JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico,
esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos
valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S
(fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva
característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte,
óhmica y saturación.

5. 11. ¿Qué diferencias existen entre un BJT y un JFET?
R/=Diferencias entre el JFET y el BJT
BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una función de IB.
ß (beta factor de amplificación)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relación lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensión entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones
(canal n).
ID es una función de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relación cuadrática entre Vgs e Id.
12. ¿Cuáles son los diferentes tipos de FET?
Tipo de transistores de efecto campo
Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva
de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de
modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo
agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de
aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:

6. El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente
SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con
una barrera Schottky.
En el HEMT (High ElectronMobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure
FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo
del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V.
Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de
tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del
transistor.por eso tenemos lareferencia
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales
13. ¿Cuáles son las aplicaciones de un FET?
R/=Los transistores FET tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)
14. ¿cuálesla polarizaciónque se consigue en el transistor como amplificador?
R/= en el circuito amplificador, la polarización del transistor se consigue mediante el dividir la
tensión formada por la resistencia R1 y R2 (R1=10K W , R2=3k3). Con el circuito en reposo (sin
V e), podemos saber si el circuito funciona midiendo las tensiones de polarización y las
intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar que I e=I b+I c).

7. 15. ¿Qué es un transistor bipolar como amplificador?
R/=El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado
en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión
directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el
germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores
normales de señal, β varía entre 100 y 300.