半導體製程
- 6. MOSFET M: Metal (or n + -poly, p + -poly) O: Oxide (gate oxide) S: Semiconductor (p-Si or n-Si) FET: Field effect transistor (E y , E x )
- 17. 多晶矽原料 SiO 2 + 2C Si + 2CO ( 純度 98%) Si + 3HCl SiHCl 3 + H 2 ( 蒸餾去除不純物 ) SiHCl 3 + H 2 Si + 3HCl ( 純度 99.999999999%) “11 個 9”
- 19. 長晶爐 ( 固定液面高度 ) ( 上升 : 0.3~10mm/min 旋轉 : 2~20rpm) ( 控制 : 晶棒直徑 上升速率 液面溫度 ) ( 避免 Si 在 高溫氧化 ) SiO 2 SiO + O ( 脫氧 ) ( 熱場 ) ( 液態表面溫度 )